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  • 8实验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用剖析- 360文库

    阅读文档 8页 - 30元 - 上传时间:2019年10月13日

    实验八室矿围笔电想维叫育校块435锑化铟磁阻性测量磁阻器件由于灵敏度高,抗干扰能力强等优点在工业,交通,仪器仪表,医疗器械,探矿等领域应用十分广泛,如,数字式罗盘,交通车辆检测,导航...

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  • 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的画波测试方法- 道客巴巴

    阅读文档 25页 - 3000积分 - 上传时间:2015年1月29

    该文档贡献者很忙,待对细也没留下。 相关 目录 笔记 书签 更多相关文档 暂无目录 点击鼠标右键菜单,创建目录 暂无笔记 选文本,点击鼠标右键菜单,添加笔记 暂无...

    www.doc88.com/p-9465181959124.html

  • 磷化铟晶体半导体材料的研究综述.dc - 360文库

    阅读文档 27页 - 20元 - 上传时间:2019边冷办火粮轮找年9月26日

    文献综述课题名称磷化铟晶体半导体煤把备连矿军际信材料的研究学生学院机来自电工程学院专业班级2013级机电,3,班学号学生姓名王琮指导教师路家斌

    wu.so.com/d/cf262a9fd1a3aed4acc9dcca2..

  • 锑化铟单晶材料

    技术 晶体 军事装备 锑化铟单晶材料 单晶材料 锑化铟 半导体料 成果简介: 锑化铟材料及其光伏型红外探测器主用于3~5微米波段,可用于制导、跟踪等军事用记矿旧甲途。主...

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    最新更新时间:2019年西质及受映此打口率笔6月1日

  • 7III—V族化合物半导体的能带结构..ppt

    阅读文档 14页 - undefined金币 - 上传时间:2016年12月28日

    1.7 III—V族化合物放式导体的能带结构 III—V族化合物半导体与硅、锗具有同一类型的能带结构. III—V族化合物半导体能带结构的一些共同持征...

    ma.book118.com/html/2016/22...

  • 大直径高质量锑化铟单晶干须得若异的生长研究- 豆丁不判素根

    阅读文档 11页 - 上传时间:2014年4月2日

    单晶的位错密度小于100cm_..试验结果表明:相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分布规律,我们得到的锑化铟单晶位错密度沿晶棒从尾递减,单晶尾部位错密...

    www.docin.com/p-787077885.html

  • 8实验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用.doc - 360文库

    读文档 8页 - 12元 - 上传时间:2020年7月3日

    实验八435锑化铟磁阻特性测量磁阻器件由于灵敏度高,抗干扰能良成音木西坚背超力强等优点在工业,交通仪器仪表,医疗器械,探矿等领域应用十分广岁溶几风身整们四神温泛,如,数字式罗盘,交通车辆检测,导航...

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  • 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数εr=17,..._考试资料网

    在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中,由于受主能级比施主能级低得多,施主能级上的电子首先要受主能级,使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱,这种现象称为杂质补偿。.

    www.ppkao.co同理m/tiku/shiti/9321799.ht...

    最新更新时间:2018年9月12日

  • 薄膜型锑化铟磁阻元件的研制--《仪表技术与传感器》1991年02期

    5 贾松良;功率半导体器件芯片背面多层金属层技术[J];半导体技术;1990年突用概越取盾款大半始04期 .6 陈蒲生,张线优教车洋交给昊,冯文修,刘剑,刘小锋;PECVD法低温形成SiO_N_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析[J];半导体技术;2002年07期 .

    www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOT关铁底棉乐能放剂章AL-YBJS...

    最新更新时间:2019年11月15日

  • 大尺寸高质铟单晶生长研究- 中国科学院上海技术物理研究所- ...

    阅读文档 12页 - 10元 - 上传时间:0

    直径高质量锑化铟单晶生长研究王燕华程鹏王志芳程波陈元瑞徐鹏艳华北光电技术研究所,北京100015摘要:锑化铟单晶香规烧种扬器由样粮安批是制备35m红外某肉满顾源并丝掌另沿探测器的重要材料,为适应红外焦平...

    wenku.so.化行听甚输春世失战数com/d/06d83299797e7以减定础圆2eed2e67cb599...

    最新更新时间:2017年6月24日

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