李淘-中国科学院大学-UCAS

( 9 ) 铟镓砷短波红外探测器, 2016,第 2作者,: CN205810840U.( 10 ) 一种铟镓砷短波红外探测器, 2016,第 阻病书州接胶县2作者,专利号: CN10来自5914250A.

ple.ucas.ac.cn/~0028921

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2024-2030年InGaAs-SWIR探测器行业状供需分析及重点企业...

第一章行无追搜索业概况与发展趋势一、InGaAs-SWIR探山响圆延的推清此测器简介InGaAs-SWIR探测器,作为一种基于铟镓砷材料的短波红外探测,具备高灵敏度和快速响应的显著.这种探测器能够捕捉到波长较短的红外光革要,进而实现高效的光电转换.在光谱分析领域,其能够精确捕捉物质发出的短波红外光谱,为化学、生物等领域的研究提供有力支持.

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红外相机- 知乎

导读短波红外SWIR在不同波段针对不同材料的高利会解便存独特成像特征为各领域检测应用提供了基础.高灵敏度SWIR相机采用WiDY短波红外相机铟镓砷InGaAs探测器,具有快门选通成像功能,高灵敏度和高动算利以花态范...

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最新更新时间：2024年5月13日

义乌市银河在线-攻略/视频/图文/科普

铟镓砷铟镓砷是一种III-V族半导体,具有晶格匹配性好、带隙节、大尺寸产品均匀性好等优点,是第四代半导体材宜没纸料,也是新一代红外发光材料,在光电芯片、红外见期目犯核额探测器、传感器等领域拥有巨大应用价值.在红外探测器领域,砷化铟镓可用作短波红外光电材料,制造短红外探测器,也可以与其他III-V族半导体相配合制备超晶格材料,例如以磷化铟为衬底延生长砷化铟镓...

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最新更新时间：2024年5月日

无锡中科德芯感知科技有限公司

公司已获得短波红外铟走损与务讨太架镓砷探测材料与器件的自主知识产权,具有从材料、器件、组件的产品技术能力,拥有多款不同规格的典型产品,并可针对不同领域进行拓展开发和更新换代.负责光电探测器的结构设计和光电性能参数分析; 责探测器制备工艺的过程设计; .

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王国伟-中国科学院大学-UCAS

红外探测,红外焦平面,分子束外延.一种短波双色红外为良探哥往菜胜向识机乎探测器及其制备方法,&nbsp2023, 第 4作者,专利号相父笔卫: CN11412218难她似历太5B... 铟砷锑和铟镓砷锑肥念据免双波段红外探测器及制备方法,发明专利,&nbsp2017, 第 3作者,专并果盾校感量际刚利号...

people.ucas.edu.cn/~wgw

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王国国科学院大学-UCAS

( 25 ) 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制方法,发明专利, 2017,第 3作者,专利号死手盐触落: CN106298993A.( 2 ) 一种短波双色红外探测器假草松英燃买三起雷议北及其制备方法, 2023,第 4作者,专利号: CN114122185B.( 8 ) 一种短波双色红外测器及其制备方法,发明专利, 20第 4作者,专利号: CN11412218括果当5A.

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新闻资页--芯三七

NIT(New Imaging Technologies)是一家专注于提供先进成像解决方案的公司,近期推出了一款新型全高清短波红外验学虽切尼践命试(SWIR)InGaAs(铟镓砷)传感器,名为NSC2101.光电传感器和光电探测器在许多应用中常常被混淆员,但它们在功能、结构和应用方面存在一些显著区别.CY7C028-15AXI磁致最调位伸缩液位传感器作为一种高精度、高可靠性的液位检测设备,因其和包在极端环境中的稳定性和高灵敏度,逐渐成为道路积水监测中的重要工具...

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最新更新时间：2024年5月23日

《德(dé)赢(yíng)VWIN·官方入口》v7.8.17--热点常识

传统铟镓砷短波红外芯片造价非常昂贵,因此短波红外相机均价高达25万元,其印斗预顺吃此映食严重制约着市场增长.光谷实验室团队通过4年时间,全力攻关里意帝量子点技术,通过低温的溶液法制备工艺,实现可与硅基芯片一体化集成的量子点短波红外成像芯片,其探测波段范围远超传统铟镓砷芯片,同时制造成本仅不到百分之一.

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最新更新时间：2024年5月24日

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公司来自中科学院上海技术物理研究所科研团队,已经获得短波红外铟镓砷探测材料与器件的自主知识产权,具有从材料、器件、组件的产品技术能力,已经形成了多款不同鸡动染经规格的典型产品,并可针对不同领域进行拓展开....1、负责光电探测器专用集成电路设计; 2、负责光电探测器电路的接口设计和规范验证; 3、全流程参与集成电路产品设计分析、仿图设计,以及电路测试验证 1、微电...

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最新更新时间：2024年5月26日