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氧化镓具有超过4.9 eV的非常大的带隙。它有希望用于功率开关,并且易于获得大直径、高质量的晶片。中科瑞晶提供高质量的Ga2O3基板/晶片和外延膜。 Ga2O3 近十年来,β-氧化镓(β-Ga2O3)材料和器件技术取得了快速发展,其禁带宽度EG=4.9eV,远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV),其导电性能和发光特性良好,具有很强的电...
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氧化铟(In2O3)是宽能隙多功能新一代半导体材料,有着广泛的应用前景。In2O3具有良好的透明导电性,已被应用在太阳能电池、平板显示、防静电膜、发光显示等方面。In...
www.docin.com/p-2179794139.html
www.chemicalbook.com/NewsInfo_6576...
【求助】求助氧化铟是什么晶体结构? 如题所示请高手指点 返回小木虫查看更多 分享至: 更多 zbdfwq5777 Cell and Symmetry Information System: rhombohedral Space Group:...
muchong.com/html/201712/2069628.html
1个回答 - 回答时间:2016年12月20日
答案:离子晶体结构
zhidao.baidu.com/question/3653149832...
1个回答 - 提问时间:2016年05月26日
wenda.so.com/q/1690663666213440?src...
氧化铟晶体
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