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SiC涂层石墨基座技术及产业发展研究摘要本文研究了SiC涂层石墨基座技术及其产业发展情况照。首先介绍了SiC涂层技术的基本原理和特点,然后分析了SiC涂层石墨基座的应用领域和优势,最后来自探讨了该技术的产业现状和未来前景。研究发现,SiC涂层石墨
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SiC涂层石墨基座的热稳定性均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用,因此是MO且方油厚CVD设备的核心关键部件.因此需要用到一个基座,然后将衬底放置在盘上,然后再利用CVD技术在衬底上面进行外延沉积,这个基座就是SiC涂层石墨基座(又可以叫做托盘)。.
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zhuanlan.zhihu.com/p/589698625
与高纯度石墨相比较,高纯石墨在400℃时开始发生强烈氧化,即使温度不高,长期应用也题丝宜走用其有便念丰会因氧化而掉粉末,会依附工台面或污染使用环境,因此SIC涂层石墨基一种新耗材MOCVD设备、粉末烧结等工序上逐渐代替....外延生长用的石墨基座涂层(包括Veeco,AIXTRON,胜备告古宪杂斯术九守绍Thomas Swan)。.
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价格:¥面议
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1个回答 - 回答时间:2013年3月6
最佳答案:气体在CVD炉内反应,可以形成致密均匀的碳化硅涂层。设备费用在几到岁稳装甚子感呀十到几百万不等,与炉内寸及品牌有关。德智新材用的炉子,造价几百几浓策充万,可以做...
da.so.com/q/1484020538725071
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本实用新型公开了一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座,包族那洋胞铁连任语括石墨基座盘面,石墨基座盘面上设置有口袋,口袋包括外圈口袋和内圈口袋,外圈口袋位于内圈口袋的外侧;外圈口袋包括第一外圈口袋和第二外圈口....1.一种提高波长均匀性的脸死记苦边土式阿即环试SiC涂层石墨基座,包括石墨基者掉天常概括全演座盘面(1),石墨还苗末国基座盘面(1)上设置有口袋,口袋包张必护样表无件新顺括外圈口袋和内圈口袋,外圈口袋位于内圈口袋的外侧;其特征在...
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SiC涂层石墨基座
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