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本发明公开了一种深槽隔离工艺方法,包含:在半导体衬底表面依次形成一层氧化硅层及一层氮化硅层;通过光刻胶定义,对氮化硅层及氧化硅层进行刻蚀,打开欲形成深沟槽的区域,向下刻蚀形成一定深度的沟槽;在沟槽内形
wenku.s伯o.com
1个回答 - 提问时间:2020几年10月12日
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理念和目的:r当在设答总每很备、装置或系统上进行进入、改造或修理作业时,由胜任的人员批准的系统的隔离方法将确保设备或其附近设施的风课保叶反政显迅险降到最低的、合理的肉月矛该械露可行的程度...
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1个回答 - 回答时间:2017年6月17日
最佳答案:CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗。由于CMOS...
wenda.so.com/1539722188213989
1个回答 - 提问时间:2017年6月13日
最佳答案:CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互补金属氧化物(OS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗。由于CMOS...
zhidao.baidu.com/question/2685568452...
工艺隔离的方法有哪些
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