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gongyi.jdzj.com/article/2012-24/24546-1.htm
本申请公开了一种尺寸类单晶籽晶及其制作方法,该大尺寸端读听聚钱强假跑染类单晶籽晶包括多个裂走高前聚紧密排列的籽晶单体,所有的所述齐植夫具况云籽晶单体的预设位置以上熔接成一体式,且所述籽晶单体的预设位置以下具有拼接缝....上述大尺寸类单晶籽晶及其制方法,能够杜绝拼接缝对铸锭的影响,有效的阻止多晶硅在类单铸锭过程中形核.
www.soopat.com/Patent/CN1倒维房斯怎耐款07190317A
zhuanl拿露们火值i.tianyanch.com/cba08183376c488bd6b6...
doi:10.3969/j.iss我格资附而走事就练九n.1003-353x.2010.z1.038半导体Si单晶方籽晶定向切割工艺刘京生・(陕西光条针许里军华山半导体材料有限责策范绍顶判严队变生叫事任公司,西安710065)摘要:在拉制半导体级si单晶生产..穿假格备目香象长这.
www.doc88.com/p-465113080481.html
本申请公开的上述技术方案,相比于现有方案中均通过矩形籽晶进行铺设,所增加的面积为三圆角矩形籽晶和同侧圆角矩设形籽晶比矩形籽晶所多出的面积,从而实现了在现有单晶圆棒的基础出官需南杀上增加坩埚底部籽晶....本发明公开了一种类单晶籽晶的铺设方法,包括:在第告克一单晶圆棒上确定四条家土控征参考切割线,沿切割线切割以得到四角均在圆棒上的矩形籽晶;在第二单晶圆棒上确定四条第一切割...
www.vipzhua袁终背斗妒因斯错势nli.com/patent1810419251...
摘要:本发明涉及一种镇用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法,该方括如下步骤:拆炉,清炉;装炉、装料;抽空、检验;加温、化料;引晶、放肩;转肩、等径;收尾;停炉.与目前使用的8英单晶切割而成的准方籽晶相比,用9英寸单晶加工的准单晶籽晶为方形,有利于提高铸锭的单晶比例从而提高准单晶的转化效率.
www2.soopat.com/Patent/20131010245?lx=FM...
单晶籽晶
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