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磷化铟单晶片InP 磷化铟单晶片InP 磷化铟(InP)是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面心立方(“zincblende”)晶体结构,与GaAs和大多数III-V半导体相同。磷化铟可以白磷和碘化铟在400℃下的反应制松映房相益备,也可以通过在高温和高压下直接组合纯化的元素,或通过三烷基铟化合物和膦的混合物的热分解来制备。
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《磷化铟晶(GB/T 20230-2006)》主要参考了SEI:M23-0302,结合我国实际情况进行编肥选叶特写的,本标准由中国有色金属工业协会信息产业部(电子)归口,中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会发布。 详宁短负赶八情>>
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