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第章,图形刻蚀技术,问题,常见的刻蚀对象,磷硅玻璃,铝或铝合金,衬底材料等即,金属刻蚀,介质刻蚀,硅,半导体,刻蚀,选择比,被刻蚀材料的刻蚀速率,掩蔽层材料的刻蚀速率,对刻蚀的基本要求,图形的高保真,横向腐蚀和各向异性腐蚀
刻蚀技术电子科学与技术系本部分主要内容湿法刻蚀等离子体刻蚀化学机械抛光离子铣反应离子刻蚀高密度等离子体刻蚀HDP剥离技术刻蚀设备刻蚀技术的现状和进展2刻蚀在半导体工艺中的作用在硅片表面形成光刻胶图形之后,通过刻蚀工艺将设计图形转移到
刻蚀去胶显影第1次图形转移刻蚀第2次图形转移选择曝光ppt课件对刻蚀的要求1、适当的刻蚀速率通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。2、刻蚀的均匀性好片内、片间、批次间刻蚀均匀性一般为。大量硅片同时刻蚀时,刻蚀速率会减小,这称为
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刻蚀刻蚀技术腐蚀液溅射刻蚀硅法刻蚀.刻蚀技术ppt课件 375阅读40页 石头网络上传 举报/认领图片版展开 石头网络 分享于2020-01-09 17:28 关注TA的店铺 刻蚀技...
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为了获得高度的各项异性,通常利用侧壁钝化技术,即在刻蚀露出的侧壁上形成聚合物或二氧化硅保护膜,使侧壁不受刻蚀.刻蚀种类:干法刻蚀:利用等离子体将不要的材料去...
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刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 蚀刻的机制,按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表... 湿蚀刻技术因之而无法应用在类似「次微米」线宽的精密制程技术! (2)非等向性蚀刻 (anisotropic etching) 先前提到之湿蚀刻「选择性」观念,是...
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刻蚀刻蚀技术光刻胶底切刻蚀液微电子.微电子工艺基础2014年11月24日1时35分刻蚀技术9.1刻蚀概述9.2光刻胶去除9.3掩膜版制作微电子工艺基础2014年11月24日1时35分...
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微机电系统论文电子束刻蚀技术现状与进展学院名称,机械工程学院专业班级,机械电子工程0901班学生姓名,杨道教师姓名,杨平教师职称,讲师2011年12月电子束刻蚀技术...
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