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  • 刻蚀技术
     - 360文库

    5.0
    共57页

    第章,图形刻蚀技术,问题,常见的刻蚀对象,磷硅玻璃,铝或铝合金,衬底材料等即,金属刻蚀,介质刻蚀,硅,半导体,刻蚀,选择比,被刻蚀材料的刻蚀速率,掩蔽层材料的刻蚀速率,对刻蚀的基本要求,图形的高保真,横向腐蚀和各向异性腐蚀

    4.2
    共6页

    简介:此文档是关于干法刻蚀技术 的doc文档,编号为92733941,其中主题是关于经济管理、项目管理的内容展示

    5.0
    共92页

    刻蚀技术电子科学与技术系本部分主要内容湿法刻蚀等离子体刻蚀化学机械抛光离子铣反应离子刻蚀高密度等离子体刻蚀HDP剥离技术刻蚀设备刻蚀技术的现状和进展2刻蚀在半导体工艺中的作用在硅片表面形成光刻胶图形之后,通过刻蚀工艺将设计图形转移到

    5.0
    共38页

    刻蚀去胶显影第1次图形转移刻蚀第2次图形转移选择曝光ppt课件对刻蚀的要求1、适当的刻蚀速率通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。2、刻蚀的均匀性好片内、片间、批次间刻蚀均匀性一般为。大量硅片同时刻蚀时,刻蚀速率会减小,这称为

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    wenku.so.com

  • 刻蚀技术- 知乎

    2020年9月28日 - 刻蚀技术是气体离子刻蚀及辅助沉积技术的简称,基本原理如下: ①在涂层前,利用GIS气体离子源将氩气和氢气离化,产生的气体离子(Ar+和H+)在偏压...

    zhuanlan.zhihu.com/p/260028505

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  • 刻蚀技术课件- 360文库

    阅读文档 38页 - 12元 - 上传时间:2019年9月23日

    刻蚀,去胶,显影,第1次图形转移,刻蚀,第2次图形转移,选择曝光,对刻蚀的要求,1,适当的刻蚀速率通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米,2,刻蚀的均匀性好,片内,片...

    wenku.so.com/d/3aa07a9eee6635114c925d5ea8...

  • 刻蚀技术ppt课件- 豆丁网

    阅读文档 - 上传时间:2020年1月9日

    刻蚀刻蚀技术腐蚀液溅射刻蚀硅法刻蚀.刻蚀技术ppt课件 375阅读40页 石头网络上传 举报/认领图片版展开 石头网络 分享于2020-01-09 17:28 关注TA的店铺 刻蚀技...

    www.docin.com/p-2293934782.html

  • 刻蚀技术- 豆丁网

    阅读文档 - 上传时间:2013年6月24日

    为了获得高度的各项异性,通常利用侧壁钝化技术,即在刻蚀露出的侧壁上形成聚合物或二氧化硅保护膜,使侧壁不受刻蚀.刻蚀种类:干法刻蚀:利用等离子体将不要的材料去...

    www.docin.com/p-669938296.html

  • 刻蚀技术的工艺分类_360问答

    刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 蚀刻的机制,按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表... 湿蚀刻技术因之而无法应用在类似「次微米」线宽的精密制程技术! (2)非等向性蚀刻 (anisotropic etching) 先前提到之湿蚀刻「选择性」观念,是...

    wenda.so.com/q/1635223811215417?src...

  • 第9章刻蚀技术【ppt】 - 豆丁网

    阅读文档 66页 - 上传时间:2014年11月24日

    刻蚀刻蚀技术光刻胶底切刻蚀液微电子.微电子工艺基础2014年11月24日1时35分刻蚀技术9.1刻蚀概述9.2光刻胶去除9.3掩膜版制作微电子工艺基础2014年11月24日1时35分...

    www.docin.com/p-969252365.html

  • 电子束刻蚀技术现状与进展- 360文库

    阅读文档 5页 - 20元 - 上传时间:2018年7月5日

    微机电系统论文电子束刻蚀技术现状与进展学院名称,机械工程学院专业班级,机械电子工程0901班学生姓名,杨道教师姓名,杨平教师职称,讲师2011年12月电子束刻蚀技术...

    wenku.so.com/d/1a91deb7ec69be6adba63b2450...

  • 湿法化学刻蚀技术与干法刻蚀技术_【快资讯】

    2021年1月30日 - 这种变化主要是由于湿法刻蚀的各向同性.在半导体器件的制造中,蚀刻是指将选择性地从衬底上的薄膜中去除材料的技术(在其表面上有或没有先有...

    www.360kuai.com/pc/98df6a0a9617543e6...

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