- 常见半导体的禁带宽度硅(Si) 硅是最重要的半导体之一,其禁带宽度为1.1电子伏特(eV),因此硅属于间接带隙半导体。硅半导体广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。锗(Ge) 锗是一种更少使用的半导体,其禁带宽度为0.66eV,属于间接带隙半导体。锗半导体主要应用于高频和热敏电阻器等领域。更多详情 >查看更多精选
半导体禁带宽度_360百科
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半导体禁带宽度- 360文库查看更多优质文档 >共5页
史上最全半导体一导带/TT\T>/T*/TTCTTTT~^\T»\T/TTC半导体Eg(eV)ECD(VS.NHE)evd(VS.NHE)Ag2O1.2eV0.191.39BaTiO33.3eV0.0
共13页题目1:一种半导体材料的价带顶点位于4.5eV,其导带底边位于5.2eV。请计算该半导体的禁带宽度。答案:禁带宽度为0.7eV。题目2:一种半导体材料的价带顶点位于2eV,其导带底边位于0.4eV。请计算该半导体的禁带
共10页半导体物理论文半导体禁带宽度测量方法姓名学号单位六院六队摘要禁带宽度是半导体一个关键特征参量,本文先介绍了禁带宽度意义,它表示表示晶体中公有化电子所不能含有能量范围表示表示价键束缚强弱表示电子和空穴势能差是一个标志导电性能好坏关
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半导体禁带宽度的介绍_360问答
1个回答 - 提问时间:2018年05月28日
最佳答案: 晶体中的电子是处于所谓能带状态,能带是由许多能级组成的,能带与能带之间隔离着禁带,电子就分布在能带中的能级上,禁带是不存...... 详情>>wenda.so.com/q/1637938014211695?src...
半导体物理禁带宽度的测量- 360文库
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半导体的禁带宽度划分- 晶体- 小木虫- 学术科研互动社区
2011年8月12日 - 一般文献中说,禁带宽度 0.5eV为导体,0.5至2.5为半导体,2.5以上为绝缘体。但也有看到一些文献中即使晶体禁带宽度达到3点多时也归为半导体,并且...muchong.com>...>半导体的禁带宽度划分
什么是半导体禁带宽度_半导体禁带宽度的影响因素_半导体禁带宽度...
2023年8月4日 - 半导体禁带宽度是指固体材料中电子在能量上的分布,以及在导带和价带之间的能隙。对于半导体而言,禁带宽度是其特性之一,决定了其导电性质和...www.eefocus.com/baike/1582742.html
半导体禁带宽度
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