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电子迁移率- 360文库查看更多优质文档 >共3页5.0
电子迁移率,固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子,在电场作用下移动快慢程度的物理量,在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率,人们常用载流子迁移率来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢迁移率是指载流子,电子和空穴,在单位电场作用下
共15页3.41.对于一个导电体材料,当一个电场强度为1000Vm时,如果电子迁移率为0.02mVs,计算电子的漂移速度是多少答案:20ms2.运用Ohm'sLaw欧姆定律,一导体电阻是10,长度为20m,横截面积为0
共1页3.4电子迁移率计算公式电子迁移率是指亲集性,吸引力和驱动力结合在一起的重要指标,它用来衡量消费者和用户在刚刚浏览而没有实际购买的情况下从当前网站向其他网站迁移的可能程度。传统上,电子迁移率(EMR)通常反映了消费者看到产品、查看评论或价格等信息
共16页4.26高电子迁移率晶体管HEMTr第1页,共16页。r本章内容rr1.HEMT的基本结构和工作原理r2.HEMT基本特性PHEMTr第2页,共16页。HEMT的基本结构和工作原理rrHEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结,在图中示出了AlGa
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电子迁移率表示什么?_360问答
1个回答 - 提问时间：2021年08月15日
最佳答案： 子运动速度等于迁移率乘以电场强度 ，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350(很明显用公式排版不好看，建议百度改进)，而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 详情>>- 1个回答 2023-07-06 硅电子迁移率
- 1个回答 2021-08-17 电子迁移率影响什么?
电子迁移率_全球百科
电子迁移率在固态物理学中,电子迁移率表征了当受到电场拉动时,电子可以在金属或半导体中移动的速度。孔有一个类似的量,称为孔迁移率。术语载流子迁移率通常指电子迁移...
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电子迁移率- 知乎
在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达...
www.zhihu.com/topic/20299507/hot
电子迁移率- 知乎
电子迁移率是空穴的2.5倍(在硅基CMOS工艺中),运算就是用这些大大小小的MOS管驱动后一级的负载电容,翻转速度和负载大小一级前级驱动能力相关。为了上升延迟和下降延...
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【请教】电导率和电子迁移率- 微米纳米- 小木虫- 学术科研互动社区
有直线运动就有直线速度。显然这个直线速度是与电场强度成正比的。把单位电场强度(每厘米长度的电压差为1V,即1V/cm)下的直线速度叫做自由电子的“迁移率”,用μ来表...
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电子迁移率
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