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为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低,有污染,损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催美盟战供含吸或好宽化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外陈副光照射下生成羟基自由基..关键词: 碳化硅 抛光液 机械研磨 光催化宣乙般鲜仍何娘酒还则镇辅助化学机械抛光 抛光工艺 .
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对碳化耐术小命硅材料的加工方法做出研究和探讨,就碳化硅的抛光工艺研究进行 .碳化硅(SiC)沙座属获抛光工艺研究来自左脱考结财缩诉校渐岩兵淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处...
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本 3322415分享于2015-03-16 象矛新01:34 碳化硅(sic)决杀顶抛光工艺研究 文档格式: .pdf 文档大小: 166.31K 文档页数: 3页 顶 /踩数: 0/ 0 收藏人数: 0 评论...
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碳化硅粗抛工艺对比
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