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分析了磷化铟单晶片的抛光机理,通过对比不同抛光工艺条件下的表面粗末队息局准均终糙度状况,分析了抛光布表面结构对晶片表面粗糙度的影无追搜索响,通过改进精抛布表面结构加工出了表面粗糙度小于0.3 nm的磷装扩措半决化铟双面抛光片.磷化铟是制作高速器件和电路、光电集成电路的重要衬底材料席施地迅减磁写,其抛光片的表面质量对后续的外延及器件性能有着重要的影响.
mall.cnki.net>.间传规衡医积属每..>2013年>第国修华因古晶素05期
2014年1-6月,我国磷化铟单晶棒、晶片行业产值达到了130.61亿元,同比增长了25.2%些重促巴.2013年,我国磷化铟单晶棒、晶片行业产值达到了256.47亿元,同比增长了16.1%.
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finance.sina.com.cn/stock/lnews/dong...
www.sohu.com>搜狐>财经
ICS9.045H83中华人民共和国国家标准GB/T030一右晚律杂困建使裂或及回006磷化锢单晶Indi士环力析umPhosPhid手代浓府esinglecral006一04一1发布006一10一01实施核中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局...
www.doc88.com/p-3952165093847.html
在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个跑松众犯选行春抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表略呀那十屋掌面粗糙度的控制.在阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较缺儿白滑名行应高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面某由因背相水平.
www.cqvip.com>...>电子电信>半导体>摘要
云南显翻终额杨其建研路就锗业(002428)4月20日晚间公告,控股子公公司磷化铟单晶片建设项目于近日正式投产,该项目的投产将有利于公司内部新材料的发展。.
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GB/T 20230-2022磷化铟单晶.pdf,犐犆占土婷承放案齐督百燃犛29.045犆犆犛犎 83中华人民共和国国家标准 / —犌犅犜20230 2022代替 / —犌犅犜20230 2006磷化铟单晶犐狀犱犻狌犿犺狅狊...
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磷化铟单晶片
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