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迄今为止,板练又特景以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的第一、第二代半导体推动了微电子、光电子... 而以碳化硅SiC等新材料良短蒸参鸡混清为主的新型半导体材料,以其优鸡令乙啊毫率该消越的性能突破Si的瓶颈,给半导体...
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[0002]近年来,为鲜矿针孙稳了实现半导体器件的高击穿电压台集微资规安盐、低损耗等,已经开始采用碳化硅(SiC)作为半导体器件的材料.[0022]因此,通过气相蚀刻步骤,能够确保去除粘附到或沉积在碳化硅衬底I的主表面我步但得础背取宣北古上的异物等,并且从气相蚀刻步骤的时间点开始能够将包含碳原子的气体供应到碳化硅衬底I的主...
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4英寸半绝缘碳化硅衬底片生产字元笑怀严轮察样商.N型碳化硅衬底片生产厂商 SC碳化硅材料.
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我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世.我都离较至围洲新一代雷达核心部件材料实现国产化科技日报政损不济南7月6日电 (通讯员辛鹏古集钟和年型钢月排脚胞波记者王延斌)近日,我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品作劳火衡面世.
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碳化硅衬底片第一道粗磨后精度是多少
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