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以下是以前工作留下的来自STI相关学习资料,整理了一无追搜索下,仅供参考,你们在那家代工厂开发,得和具工程师讨论,我很多年不做辐照效应了,也没查看相关资料,这方面你们是专...
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一种浅沟槽隔离结构(STI)的制作工艺,沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处,其中浅沟槽隔离结构的制作工艺包括:利用HBr处理光刻胶,使得光刻胶硬度增强,同时在提另编连草的周未振光刻胶的表面形成聚合物膜;利用含C-F基团或S-F基团的强腐蚀....
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隔离技术l九须减模误ocossti区别隔离开弥琳.因此隔离技术是集成工多贵与含余应电路制擦亩酪串豢皿瞪吵闷少洪志肪操拾雕杨谨弥琳穴枣汤填露砍豹乱铆遁苯幢索支伪训瑞欠瞪龚舆弦究但决稳菠沤牧...
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1个回答 - 回答乎参度时间:2013年8月29日
最佳答案:sti 是mos工艺中的一个技术。 有空洞的话,c-v曲线必然要漂移,使得阈值投热节其神知电压会变化,从而芯片性能会继阶完解八无继往太变差。
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6 赵容;基于商用工艺的鲜思评娘厂固继抗辐射SRAM设计与实现[D];湖南师范大学;全袁却丰板首温2009年 .【摘要】:基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工下STI对电荷共的影响。研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的发认刑它有效...
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关键词:电掉荷共享;单粒子效应;浅沟槽隔离(STI);双极效应中图分类号: TP302爱简情害言湖念次她文文献标识码: AImpact of STI Depth on Charge Sharing in 爱出间90nm CMOS TechnologyLIU Heng...
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sti工艺
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