气相外延是一种单晶薄层生长方法。气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。

May 28, 2017 · 硅外延生长方法，又可分为气相外延、液相外延、固相外延。目前国际上广泛的采用化学气相沉积生长方法满足晶体的完整性、器件结构的多样化，装置可控简便， ...

Jun 8, 2023 · MOCVD（金属有机物气相沉积法）是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。在采用MOCVD法制备GaN单晶的传统工艺中，通常以三甲基镓 ...

外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。外延生长技术发展于50年代末60年代初。

找到气相外延生长反应系统对气相外延生长过程的影响%. 假定外延生长反应器的空间 ... ;是取决于外延生长过程中生长表面化学反应状态及外延生长过程中生长气相质量转移状.

另外，在本实施方式的气相外延生长方法中，将TaC容器2的内表面设为Si或Si化合物，且通过外延层41的生长时的加热，使Si原子从该TaC容器2的内表面升华，从而将该TaC容器2内设 ...

摘要: 研究了金属有机化合物气相外延（MOVPE）方法在（0001）氧化铝基底上生长的GaN薄膜的微结构，目的在于解释GaN缓冲层在二步法生长过程中的作用及其对 ...

Feb 14, 2023 · 气相外延的生长方法包括化学气相外延生长（CVE）、分子束外延（ MBD)、原子层外（ALE）等。在集成电路制造中，最常用的是化学气相外延生长(CVE)。化学气相 ...

本发明公开了一种外延生长方法，包括如下步骤：第1步，选用硅烷作为硅源气体，以气相外延工艺生长第一外延层，反应温度为600～950℃，压力为20～200Torr，载气为氢气， ...

什么是外延生长. 这是在单晶基板上把均匀的单晶晶体取向薄膜外延生成的方法。 典型的气相外延法，主要有金属有机化学气相沉积法（MOCVD），分子束外延法（MBE），氢化物 ...