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氮化铝(Aluminum Nitride,AlN)是铝的氮化物。 纤锌矿状态的氮化铝(w-AlN)是一种宽带隙(Wide-bandgap Semiconductor)的半导体材料(6.2 eV)。 故也是可应用于深紫外线光电子学的半导体物料。 若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。
氮化铝是一种以共价键相连的物质,它有六角晶体结构,与硫化锌、纤维锌矿同形。此结构的空间组为P63mc。要以热压及焊接式才可制造出工业级的物料。物质在惰性的高温环境中 ...
May 20, 2021 · 氮化铝(AlN)是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物,晶格参数为a=3.114,c=4.986。纯氮化铝呈蓝白色,通常为灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族宽禁带半导体 ...
Aluminium nitride

Aluminium nitride

Chemical compound
Aluminium nitride is a solid nitride of aluminium. It has a high thermal conductivity of up to 321 W/ and is an electrical insulator. Its wurtzite phase has a band gap of ~6 eV at room temperature and has a potential application in optoelectronics... Wikipedia
Formula: AlN
Melting point: 3,992°F (2,200°C)
Density: 3.26 g/cm³
Boiling point: 4,563°F (2,517°C)
Molar mass: 40.9882 g/mol

Jun 12, 2023 · 与其它几种陶瓷材料相比较,氮化铝具有优异的综合性能,尤其是其出色的导热性能,非常适用于半导体基片和结构封装材料,在电子工业中的应用潜力非常巨大。
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氮化鋁(Aluminum Nitride,AlN)是鋁的氮化物。纖鋅礦狀態的氮化鋁(w-AlN)是一種寬帶隙(Wide-bandgap Semiconductor)的半導體材料(6.2 eV)。故也是可應用於深紫外線 ...
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