Mar 1, 2020 · 由于GaAs具有很高的电子迁移率，故可用于制备高速或微波半导体器件。砷化镓还用于制作耐高温、抗辐照或低噪声器件，以及近红外发光和激光器件， ...

Oct 21, 2023 · 文章浏览阅读380次。砷化镓作为一种重要的半导体材料，具有许多独特的物理和化学性质，因此在电子、光电子、激光、太阳能等领域得到了广泛的应用。

Oct 29, 2023 · 砷化镓是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA 族、VA 族化合物半导体材料，用来制作微波积体电路、红外线发光二极体、半导体雷射器和太阳电池等 ...

Jun 30, 2023 · 其中，砷化镓是较为重要、技术成熟度最高的化合物半导体材料之一，具备禁带宽度大、电子迁移率高的特性，能显著降低射频尺寸、降低功耗。相比于氮化镓和 ...

Dec 2, 2022 · 背景介绍 砷化镓（GaAs）（项目号：G119227）是镓和砷两种元素所合成的化合物，两者是重要的IIIA族、VA族半导体材料。因此，GaAs也是重要的化合物 ...

Feb 4, 2023 · 砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但 ...

自2018年下半年以来，中美贸易摩擦不断升级，在此背景之下，美国将华为、海康威视等中国科技企业列为实体清单，这一举动也让中国的科技企业意识到自主研发的重要性， ...

Dec 5, 2016 · 在5G和终端应用创新的驱动下，射频前端器件的国产化进程正在加速推进，而砷化镓材料作为射频器件的制造材料也将受益，目前各大厂商已加大布局。与此同时， ...

相信砷化镓(GaAs)基材料能提供高电子迁移率及宽能带隙，以便于增进晶体管器件的性能和速度。因此，相信使用砷化镓(GaAs)基材料作为所述半导体层206可供所述薄膜晶体管200 ...