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锑化铟（InSb）是一种由铟（In）和锑（Sb）元素组成的金屬間化合物，可由铟和锑兩種單質高溫反應製得。锑化铟是一种半导体材料，廣泛應用於紅外探測器（英语：Infrared ...

中文名. 锑化铟 · 外文名. Indium antimonide · CAS号. 1312-41-0 · EINECS号. 215-192-3 · 化学式. InSb · 分子量. 236.578 · 熔点. 525.2 ℃ · 密度. 5.76 g/cm ...

您查询的是：锑化铟和铟砷化镓查询结果：共包含8 个汉字，总笔画数75 画。 去除重复汉字后：共包含6 个汉字，总笔画数60 画。 以下为单个汉字笔画数： 12 画tī锑4 ...

Oct 18, 2020 · 锑化铟(InSb)是研究得较早、较深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆，为闪锌矿结构.晶格常数为6.48Å，是一种直接带隙材料，其禁 ...

Jan 22, 2024 · 锑化铟是一种具有较窄能隙的半导体，熔点低，易于加工。 其晶体结构为面心立方晶系，具有较高的电子迁移率。 ... 在常温下，锑化铟表现出良好的化学稳定性。

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Sep 8, 2023 · 光智科技（300489.SZ）9月8日在投资者互动平台表示，公司化合物半导体材料锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）、碲锌镉（CdZnTe）在2022年度初步产能建设完成 ...

Mar 18, 2024 · 锑化铟（InSb）是一种具有独特性质的III-V族半导体材料，广泛应用于红外探测、热电能转换、磁性材料等众多领域。其优异的电子性质和可调节的物理化学 ...

Mar 21, 2024 · 锑化铟（InSb）材料因其特殊性质，因其不但具有极高的电子迁移率和极小的电子质量等特殊性质，是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。