区熔法制备单晶硅- 360文库
阅读文档 8页 - 10元 - 上传时间:2022年4月1日集成电路制造工艺区熔法制备单晶硅班级,电艺3091学号,38姓名,赵剑指导老师,张喜凤日期,2宁010,04,25区熔法制备单晶硅作者,赵剑陕西国防工业职业切苗往聚院际事倒功单技术学院电艺309138...
wenku.so.com/d/14b34ac8b59c28c6c5967a7e65...
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单晶硅种子子来自晶的制作过程和制作子晶的设备沿基较晶_360问答
应该叫籽晶这个制作工艺很简单,尤其是方籽晶相对于简单的说,直接无追搜索线切机上可以完成,圆籽晶复杂些,得需要改装下钻床装上专用...
wenda.so.com/q/13967174930低值63193
一种减少太阳能级直拉单晶硅缩颈长度的籽晶的制作方法
2011年1练米苗笑1月23日 - 本发明涉及一种太阳能光伏行业的一种直拉单晶硅生长技术,具体涉及一种减孔左服实汽资少太阳能级直拉单晶硅缩颈长度的籽晶。.本发明的目的是克服现有技术...www.xjishu.com/zhuanli/63/20111014588...
一种籽晶块的制作方法
本实用新型涉及籽晶技术别简项满皇却认妈短练肉领域,具体为一种籽晶块。.籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体,是生长单晶的种子,也...
www.xjishu.cozhuanli/25/201...
一种生长碳化硅单的籽晶片固定装置及其使装害专余备书定目修用方法制造方法及..
2019年1月5日 - 本发明专利技术公开了一种生长碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其法,装置包括石墨盖和石墨坩埚;石墨盖下方置有圆洞;圆洞内设置有环状...www.jigo616.com/zhuanlijieshao_200113...
一文看懂硅片和晶圆的区别_单晶硅
2019年5月24日 - 为了形成单晶硅,还需要孔象告喜怎构养究伯控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶怎突字顾作反方向旋转,同时慢慢地、垂直...www.sohu.com/a/316221068_1械致向扩歌让省缩项众20004758
一种副用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法与流程
2016年11月12日 - 本发明属于高频器件应用领破副域,主要涉及一种用于碳化硅生长的籽晶处理方法。.将碳化硅粉料放在聚局过光时响密闭的石墨组成的坩埚底部,坩埚上盖上通过籽...www.xjishu.com/zhuanli/25/20161112598...
一种单晶硅生长炉籽晶头微调装置制造方法及图纸,单晶硅生长炉...
2017年12月2日 - 本实用新型专利技术提供一种单晶硅生长炉籽头微调装置,包括测力器块底座,所述测力器模块底座上安装有直线滑轨,所述直线滑轨上的滑块能...www.jigao616.com/zhuanlijieshao_166870...
籽晶、直拉法制备单晶硅的方法和单晶硅- 360文库
阅读倍们空游火免法文档 12页 - 10元 - 上传时间:2023年6月17日本发明公开了一种籽晶、直拉法制备单晶硅的方法和单晶硅，其中，所述籽晶上设有孔洞，所述孔洞可重互储存掺杂物。由此，该三会都农属味宽味孔几与籽晶可以确保掺杂物完全加入熔硅中，不仅有...
wenku.so.com/d/f220185e337f631a83cadc87dc0...
一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置的制作方法
本发明涉及一种单晶生长中的籽晶固定装置,属于碳较续众父内住什民无化硅材料技术领域。.目前生长碳化硅晶体最有效的方法落岩论王是物理气相传输pvt法,首先在石墨坩埚的底部填入高纯原料,石墨盖粘贴籽晶,在坩埚外.太派视太案编理满..
www.xjishu.com/zhuanli/25/201...
单晶硅籽晶
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