一种垂直晶体管及制造方法- 360文库
阅读文档 17页 - 10元 - 上传时间:2023年6月1日本发明公开了一种垂直晶体管及制造方法，涉及晶体管技术领域。用于解决现有结构下的垂直晶体管栅控能力不足的技术问题。方案包括：源极、漏极、沟道、第一栅堆叠...
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研发出一种超陡垂直晶体管技术|刘艳_新浪科技_新浪网
2024年2月22日 - 本报讯西安电子科技大学郝跃院士团队的刘艳教授和罗拯东副教授在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展,为后摩尔时代高性能低功耗晶体管...finance.sina.com.cn/tech/roll/2024-02-2...
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添加扩展到浏览器添加后不再显示 我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术_新浪财经_新浪网
2024年2月22日 - 该研究团队制备的超陡垂直晶体管表现出强大性能,包括电流开关比高于8个数量级、亚60mV/dec电流区间超过6个数量级、漏电流小于10fA等,为后摩...finance.sina.com.cn/jjxw/2024-...
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垂直晶体管- 360文库查看更多优质文档 >共22页3.0
本发明提供一种垂直晶体管及其制作方法,所述制作方法包括:提供一基底,于所述基底中形成至少一沟槽;在所述沟槽的内表面上沉积衬垫层;于所述沟槽的底部形成填充物;选择性地去除邻接所述填充物的一区段的所述衬垫
共23页3.0本申请实施例涉及一种垂直型晶体管及其制备方法,其中垂直型晶体管包括:半导体衬底,包括彼此相对的第一表面和第二表面,半导体衬底具有第一导电类型;多个第二导电类型体区,从第一表面延伸至半导体衬底的内部;其
共17页3.0本发明公开了一种垂直晶体管及制造方法,涉及晶体管技术领域。用于解决现有结构下的垂直晶体管栅控能力不足的技术问题。方案包括:源极、漏极、沟道、第一栅堆叠部和第二栅堆叠部;所述沟道分别与所述源极和所述漏极
共13页3.0本发明提供一种垂直转移晶体管的实现方法,图像传感器的像素单元中采用双多晶硅栅极的垂直转移晶体管结构。通过将每个像素单元设置有2个垂直转移晶体管栅极,受双侧转移晶体管栅压的控制,导电沟道能够更有效地导通
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垂直式晶体管结构_百度文库
发明名称垂直式晶体管结构 (57)摘要本发明涉及一种垂直式晶体管结构,包括一基板、一源极、一第一闸极、一第一绝缘层、一第二闸极、一闸绝缘层、一汲极、一第二绝缘层...
wenku.baidu.com/view/14b2d6884935ee...
湖南大学研制成功1nm物理沟道长度垂直晶体管,芯片性能或将进入新...
4天前 - 这种金属制备过程中的接触损伤和非理想金属半导体界面并不会破坏到本征沟道区域,因此也不会影响到其电学性能。但在垂直晶体管中,金属半导体...www.163.com/dy/article/G8N1JUE7...
垂直晶体管- 百度文库
垂直晶体管包括在绝缘体层内延伸的栅极 导体的两个部分。通过绝缘体层延伸的开口包括 通过外延操作形成的源极区域、沟道区域和漏极 区域。栅极导体的部分的厚度在沟道...
wenku.baidu.com/view/a8d2a765757f5a...
芯片性能湖大新思路:超短沟道的垂直晶体管-湖南大学本科招生网
垂直晶体管具有天然的短沟道特性:其沟道长度仅由材料厚度决定,半导体沟道以三明治结构处于底电极与顶部电极之间。因此,垂直晶体管的研发有望作为一种全新的器件微缩方...
admi.hnu.edu.cn/info/1138/4923.htm
中国团队成功研制1nm物理沟道长度垂直晶体管,芯片性能或将进入新...
2021年4月29日 - ...这种金属制备过程中的接触损伤和非理想金属半导体界面并不会破坏到本征沟道区域,因此也不会影响到其电学性能。但在垂直晶体管中,金属半导体...zhuanlan.zhihu.com/p/368690319
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