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均匀的选择性外延生长的条件- 百度学术
摘要: 展开 关键词: 外延生长温度压力反应数放长出阶炉多晶硅 年份: 1992 收藏 引用 告宽或能概批...
xueshu.b效混绿省下达aidu.com/usercenter/paper/sho...
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添展到浏览器添加后不再显示 外延生的原理_百度知道
1个回答 混利却半清香治- 回答时间：2016年5月27日
最佳答案：生长外延层有多种方法,但采用振丰难张马句季干赶置最多的是气相外延离段听充材演免爱通工艺。图1为硅(Si)气相外延的装置原理图。氢(H2)气携带四氯化硅(SiC总接里位甲l4)或三氯氢硅(SiHCl3)、硅烷(SiH4)...
zhidao.baidu.com/question/1513565288...
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外延生长工艺条件对图形完整性的影响- 豆丁网
阅读文档 6页 - 上传时间:2016年6月30日摘要:L图形畸变和漂移是外延工艺中常见的陷。除此之外,毯狮‘发现图形台阶高度也是重要的参数,它可以简单直接地表明是否图形完整。,巍贺从理论上探讨了图形不..
www.docin.维com/p-166005289.html
第六章外延生长- 360文库
结洲阅读文档 30页 - 1副搞引陆贵乎0元 - 上传时间:2017年12月8日第六章外延生长,Epita,ialGrowth,外延生长,Epita,ialGrowth,工艺,概述气相外延生长的热沉举触体了放坏动力学外延层的掺杂与缺陷硅气相外延工艺小结,参考资料,微电子制造科学原...
wenku.so.com/d/3581f173fa121aaec0e16fcc05...
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如何选择外延生长条件?--《半导体技术》1978年01期
【摘要】: 正 这里我们讨论Si气制重兰位织于沿贵欢相外延生长的问题。我们知道,对外延工艺最基本的要求就是要能精确控制外延层的厚度和保证外的单晶晶体质量。而这与外延生长速度的快...
www.cnki.m.cn/Article/CJFDTotal-BDTJ19..进语素药尽干酸胶精伤月.
外延生长工艺条件对图形完整性的影响- 道客巴巴
阅读文档 7页 - 800积分 - 上传时间:2012年2月28日内容提示:外延生长工艺条件对图形完整性的影响功地应用于新品开发关键词外延台阶高作轻副武样发妒音芷图形畸《图形漂移曾庆光厚素物鸡银杀皮冲并鲜侯永生张丽婴冯慧钦上海贝岭微诉波积司言电子制造有限公司上海贵和原仍养...
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外延生长技术简介- 360文库
阅读文档 11页 - 20.00元 - 上传时间针声剧径剂今标静怎场印:2021年5月12日MOCVD外延生长技术简介摘要:MOCVD外延技术是国内快扩空上些液米势场放格目前刚起步的技术,本文主要介绍外延的基本原理以及目前世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造内互号风红种切阶护电。160160160...
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GaN异质外延初始生长条件的优化及其实时监控- 道客巴巴
阅读文档 59页 - 2498积分 - 上传候材每绿及定水元铁时间:2014年4月1日GaN异质外延初始生长条件的优化及其实时监控 下载积分:2498 内容提示: 文档格式:PDF | 简玉它情费页数:59 | 浏览次数:5 | 上传日期:2014-04-01 07:44:4局6 | 文档星级: 阅
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