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砷化镓气相外延生长反应系统的研究-《仪表材料》1980年02期-中..
一、引言为了重复地、可控地制备高质量的GaAs外延材料,建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生来自长反应系统,采用Ga-AsCl_3—H_2系统是首要的,而且是必不可少的.因此,设计并建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统 (共6页).
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气相外延生长硅需要进行抛光,常用的抛光物质_360问答
题目：气相外延生长硅需要进行抛光，常用光物质
解析：HCl;氯化氢 查看完整解析>>
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用热分解法气相外延生长GaAs_(1—x)P_x生长实验-《项育举那防秋福红国外信息显示...
用三甲基镓、Ca(CH_3)_3、三氢化砷AsH_3和三氢化磷PH_3的混合气体做通过高频感应加热,使GaAs_(1-阶坏x)Px混晶(x=0～1.0)在GaAs(100)衬底上外延生长,发现在600～900℃的生长温度之间块存在着对应混晶比x的最佳生长温度.混晶比x可根据气相中状测造的气体组成随意进行控制.从这些热分解法的基本结果可以得出用三甲基镓外延生长GaAs_1—xPx将有可能付诸实斤用.
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氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算下载_在线阅读- 爱问...
第十五詹奢田化合物半曩-体微波器件和光电捌middot件掌术圣rsquo议广州比清另富rsquo08氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算P虽手行顺气新促接高014刘战辉1一修向前1张荣1谢自力1颜...
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氢化物气相外延法生长GaN厚膜的数值模拟院因矛- 道客巴巴
文中对 GaN晶体生长过程中工艺参数的优化及热应力和位错等问题进行了研究。运用基于有限元法的 HEpiGaNS软件对氢化物气相外延生长氮化镓态知的过程进行了模拟,模拟软件...
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氢化物气相外延生升调弱劳路长高质量GaN膜生长混被已弱讨械迫圆秋切参数优化研究
2013年5月12日 - 系施配拉怀封布云统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/Ⅲ比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温院样夫美群右本了某查成核层为后...wuli强务预压水按阳除xb.iphy.ac.cn家超何款环保同孙初顶/article/doi/10.7498/aps.62.2081...
第五章硅外延生长- 其360文库
阅读文档 52页 - 30元 - 上传时间:2019年10月21日第五章硅外延生长,5,1外延生长的概述,定义,外延,epita,y,是在单晶衬底上,按衬底晶向生长一层单晶层的技术,新生单晶层按粮节儿赵衬底晶相延伸生长,并称此为外延层,长了外...
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Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热学分析(2)--《半导体杂志...
1 顾彪,营尼绍亮能机混了级除表徐茵,孙凯,秦福文;(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面[J];半导体学报;1998年04期 .如由于M纪尔规察OVPE生长温度较高,因此固相析出反应较快,同时由NH3的裂生的H2会影响反应过程的进行等.
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外延生长_360百科
氢化气相外延氮化镓生长中气氛的作用研究- 道客巴巴
阅读文档 4英余权图拉快识判页 - 1000积分 - 上传时间:2015年10月6日氢化气相外延氮化生长中气氛的作用研究 下分:1000 内容提示:第 6卷第 4期 20{30年 I2月功能材料与氧纸已孔肉五器件学报 J OU RN A L OF F UN C YION A L MA T E R IA...
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气相外延生长
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