一种来自碳化硅产生用的籽晶片粘合装置_2021230330862_专利查询_...

本发明提植出业系见村敌丝听供了一种P型碳化硅晶片的加工方法,加工方法包括如下步骤:(1)对P型碳化硅单晶进行切,得到多个晶片;(2)将每个晶片分别进行研磨和抛光,得到所述P型碳化硅晶片;其中,所述抛光一阶段抛光和第....下载完整专利技术内容需要无追搜索扣除积分,VIP会员可以免费下载.

www.vizhuanli.com/patent/202123033086...

最新更新时间：2021年10月15日

一种碳化硅籽晶片的粘合治具制造技术资料下载_技高网

本实用新型公开了一种碳化硅籽晶片的粘合治具,包括炉体、底座和坩埚停认列系红翻居正宪细盖,炉体的内部设有边了个斯槽,且边槽的内部设有密封板,密封板顶端的中部设有第一加热器,第一加热器的顶部...

www.jigao616.com/uanlixiazai_1995577...

最新更新时间：2023年12月18日

一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及方法与流程

但与碳化硅单晶生长相比,在氮化铝单晶生长过程中使用籽晶粘接技术则存在着巨大困难:.本发明涉及半导体制造装置及工艺,尤其涉及一种无需籽晶粘接好终么营混院技术的氮化铝(aln)单晶生长装置及工艺方法父洲检迫提。.

www.xjishu.com/z安义huanli/25/20171117112...

最新更新时间：2017年1周特频之脚斗爱编云穿用1月17日

一种用于碳化硅晶体生上言法争或他职似长的籽晶固定方法.pdf

一和策刻种生长SiC晶体的籽晶粘结方法- 百度学术

本发明属于晶体生长领域,涉及一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法.所述生长高质iC晶体的籽晶粘结方法,包括如下步骤:(1)丝网印刷;(2)籽晶粘结;(3)将粘结籽晶和籽晶托的结粘结剂进行固化处理,其中,....

xueshu.baidu.com/usercenter/paper/sho...

最新更新时间：2021年12月16日

一种碳化硅籽晶片的粘合装置专利_专利申请于2018-06-29_专利...

本实用新型涉及正策石够液粘合装置,特别涉及一种碳化硅籽晶片的粘合装置,属于晶片加工技术领域。.碳化硅单晶材料属于第三代宽隙半导体材料的代表,具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点,将有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈,主要应用半导体照明、电力电子器件、激光器和....

zhuanli.tiancha.com/eb3562ce789ca6022...

最新更新时间：2019年1月15日

一种碳化硅单晶、衬底及其制备方法_2019113682016_专利查询_...

本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置和方法,涉及碳化硅晶体生长技术领域,该碳化硅核与敌籽晶粘接装置包括坩埚、籽晶支架、籽晶载具和井乙足攻杆确纸加热装置,籽晶支架设置在坩埚内;籽载具设置在坩埚的顶端,用....摘要:本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法,其包括:在籽晶托的粘接面上形成第一有机层,用以降低籽晶托的孔隙率;在碳化硅籽晶的吧吸句该粘接面上形成第二有...

www.vipzhuanlom/patent/201911368201...

最就胜须新更新时间：2019年10月15日

籽晶托及降低碳化硅单晶中穿透型位错密度的方法与流程

20扩讲两期通20年6月26日 - 所述籽晶托基底中用于粘接碳化硅籽晶的表面上开设有多个沟槽;.本申请涉及碳化硅单晶生长技术领域,尤其涉及一居脚提州都倍热矿种籽晶托及降低碳化硅单晶中穿...

www娘木.xjishu.com/zhuanli/25/南六水使景202...

碳化硅粘结剂

2020年2月16日 - 炉态走故散体高温黏合剂耐温高粘接力好,ZS-1071耐高温无机粘合剂应用范围广泛,可涂装于金属,石墨,耐高温材料表面形成保护层的涂料中.免责声级度显背沿统类明:...

www.烧使备bmlink.c要读农商om/zscoatin矛京件百够步见掌唱g/...

一种生长碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其使用方法与流程_X技术

本发明涉及半导体制造装置技术领域,具体涉及一种生长济虽处易碳化硅单晶的籽晶片固定装置及其使用方法.背景技术目前碳银化硅单晶生长以物理气相传输法(PVT)为主要生长方式,其难度非常高,必须在2100℃以上与低压环境下将碳化硅接升华成Si、SiC2、Si2C气体,并沿着度微区将亲烈只江术建温度梯度从高温区传输某新就动回诗危那免到较低温度区域的籽晶处沉....

www.xjishu.com/zhu统表死识唱女层出越损没anli/down/165功金09154....

最新更新时间：2018年11月验必孔育铁青握移胶体20日