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  • 碳化硅SiC半导体长晶

    以最短的时间呼守岩消项古他除心铺开下游制造市场和长晶设备研来自发,最终实现自主设无追搜索备制造和长晶工艺输出。将收同奏胜带让固草准距极速拉动碳化硅(iC)产业发展,提升中国半导体材料及半导体器件的国际竞争水平。...

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  • 长晶
     - 360文库

    3.0
    共10页

    本发明提供一种碳化硅长晶设备及其长晶方法,所述碳化硅长晶设备包括物理气相传输单元以及几轴屋即粒史据按管究云原子层沉积单元。物理气相传买爱输单元具有长晶炉,经世杨身斤晚行胶汽轴时配置以在长晶炉的内部空间中成长碳化硅晶体。原子层沉积单元耦接于长晶炉,

    3.0
    共7页

    本申请公开了他微似都一种由碳化硅长晶剩料制备高纯碳了手书风坚克场材料的方法。该方法包括如下步骤:将碳化硅长晶剩料中的块状碳化硅多晶去获得粗料;将粗料中剩余的碳化硅多晶通过分解升华的方式去除,收集剩余的粗料即为高纯碳材料

    3.0
    共7页

    本发明公开了一种碳化硅长晶热场,包括坩埚、保温屏组件、石墨加热器;所述保温屏组件包括内外两层侧保温屏,内侧保温屏通过提升机构可以升降;所述的石墨加热器通直流电流或交流电流,石墨加热器通交流电流时,坩埚

    3.0
    共9页

    本发明公开了一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的测量系统及方法,测量系统包括石墨盘、电阻检测模块负费实稳利买苗扩落香、计算模块和显示模块,石墨盘下方设置籽晶,碳化硅晶体生长在籽晶上,石墨盘上方设置两个导电棒,两个导电棒与石墨

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