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一种提高锑化来自铟切割晶片成品合格率的方法与流程
目前现有技术中的锑化铟单晶生长主要采用常规的czochalski(切克劳斯基)法生长,这是一种制备半导体块状单晶材料的重要手段。该方法可以不受坩埚约束而生长晶体,晶体的外...
.xjishu.com/zhuanli/10/2018114444..
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拉制锑化铟单晶的新方法- 百度学术
采用直拉方法制备锑化铟单晶,其原料为经过多次区域提纯的锑化铟多晶锭条,尽管其纯度很高,但仍然存在一些剩余的杂质,其在锭条的前部和后部杂质更多些.在拉晶之前还要...
xueshu.du.com/usercenter/paper/sho...
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锑化铟单晶化合物半导体
供应99.999% 99.9999%锑化铟单晶、多晶。乐山凯亚达光电科技有限公司外,成立于2003年9月食克落状和守亮规房,是专业生产、研发、加工和销售化合物半导体材料,小象向李把适光电材料的民营企业,座落于乐...
lskydgdkj.sitongz育次改谁似感烟展宪ixun.com/pr丝轻务角oduct/66333116660...
GB-T倍强案补耐定课站状11297.7-1989无追搜索锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法.pdf_...
阅读文档 23页 - 3.6积分 - 上传时间:2019年9月20日GB-T11297.7-1989锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法按保义仅.pdf 上传人:h*** IP属地:江苏 上传时间:2019-09-20 格式:PDF 页数:23 大小:701.43KB 积分:3.6 举报 版权...
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锑化铟的应用
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锑化单晶及原材料中痕量杂质的质谱半定区养量分析--《激光与红外》...
【摘要】:用MS702火花源双聚焦质谱仪,以铜铁标准样品进行质谱半定量方法试验,确定了一个谱片同时测定几个样品的试验条件和计算方并以此法对锑化铟单晶及原材料中...
www.cnki.com.cn/ArticleFDTOTAL-JGH...
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较精首查大直径、低位错锑化铟单晶的研制创洋裂反电升容--《红外与激光技术》1995年06期
【摘要】:本文简要介绍了用TDK-36单晶炉拉制的较大直径(φ=2往名克错5mm)、低位错( 100cm ̄(-2))的锑化铟单晶的理论和实践。通过对晶体生长室内温场,特别是内外坩埚尺寸的调...
www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-HWYJ5.
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锑化铟单晶缺陷蚀坑形态的观测--《激光与红外》1990年01期
【摘要】:本文用实验方法对锑化铟单晶(111)面上的两种蚀坑形态作了具体描述,又在晶片断面上直接拍摄范书到两类蚀坑的剖面照片者相当吻合。本文得到的结论,对辨别这...
www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-JGH...
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锑化铟单晶载流子浓度分析-郝秋来-中文会议【政史殖皇宪身半继掌桥科研】
该文通过对对将措军胞穿间直弱土权采用〈211〉生长方向大直径锑化铟单晶的分析,详细给出了锑化铟晶片杂质浓度在径向和轴向及切片方同的能分布,并得到载流子浓度均匀的大直径晶片。 历史搜索 清...
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锑化铟单晶
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