锑化镓单晶生长工艺研究.pdf - zs文档
阅读文档 59页 - 7赏币 - 上传时间:2024年3月8日是直接带隙半导体材料,禁带宽度为0725EV,晶格常数为060959NM。GASB可以与各种三元、四元的IIIV族化合物半导体材料的晶格常数相匹配,因此由晶格失配导致的应力、...
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锑化镓单晶片GaSb | 厦门中芯晶研半导体有限公司
锑化镓(GaSb)是III-V族的镓和锑的半导体化合物。它具有约0.61nm的晶格常数。 GaSb可用于红外探测器,红外LED和激光器和晶体管,以及热光电系统。厦门中芯晶研可提供2”,3”,4”锑化铟单晶片。
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锑化镓单晶- 360文库查看更多优质文档 >共2页4.2
MLEC锑化镓单晶性能研究摘要本文研究了MLEC锑化镓单晶的性能,并分析了影响其性能的因素。实验结果表明,MLEC锑化镓单晶具有良好的结晶性、电学性能和热学性能。其中,优良的晶体结构和电学性能主要归功于高质量的生长过程和加工工艺,而优异的热
共6页3.0本发明包括底座,其左上端设置有柜体,柜体的上端设置有支撑架,支撑架上安装有有上表面打磨机构;上表面打磨机构包括第一电机、与第一电机输出轴相连的转轴、设置在转轴末端的打磨盘;底座的上端设置有固定板,固定
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锑化镓单晶生长工艺研究- 百度学术
包含全部检索词 包含精确检索词 包含至少一个检索词 不包含检索词 出现检索词的位置 语言检索范围 锑化镓单晶生长工艺研究 作者: 吴磊 展开 摘要: GaSb是直接带隙半导体材料,禁带宽度为0.725eV,晶格常数为0.60959nm。
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锑化镓_360百科
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锑化铟单晶片InSb | 厦门中芯晶研半导体有限公司
锑化铟(InSb)是用于红外探测器的III-V族的窄间隙半导体材料,包括红外热像仪,FLIR系统,红外制导导弹系统和红外天文学。锑化铟检测器在1-5μm波长之间敏感。锑化铟是旧的单探测器机械扫描热成像系统中非常常见的探测器。另一个应用是作为太赫兹辐射源,因为它是一个强烈的光 – Dember发射器。 锑化铟单晶片InSb 锑化铟单晶片...
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云南锗业董秘回复:锑化镓单晶作为II类超晶格非制冷中长波红外探测...
2023年8月18日 - 云南锗业董秘:您好,锑化镓单晶作为II类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键基础材料,在红外技术领域具有良好应用前景,该产品在...stock.stockstar.com/RB20230...
股民提问云南锗业:公司锑化镓晶片关键技术研发项目能否在2023年...
2023年9月14日 - 其目标是建立一套完整的从单晶炉设计、热场模拟、单晶生长、晶片加工、外延生长、器件验证工艺链。截至2022年底,已完成了锑化镓单晶炉设计...finance.sina.com.cn/jjxw/2023-09-14/do...
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