分子束外延生长βMnO2单晶薄膜的结构表征和拉曼光谱研究- 道客...
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硅基锗薄膜分子束外延生长与RHEED分析_(精品定误所院能盐四论文) - 道客巴巴
阅读文档 71来自页 - 1300积分 - 上传时间:及格2015年1月28日浙江大学硕士学位论文硅基锗薄膜子束外延生长与RHEED分析摘要硅锗异质材料外延器件制备成为目前半导体器件技术发展的一个热无追搜索点,寻求利用锗材料优异的电子学和...
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分子束外延生长兰阶InAs_AlSb二希维电子气结构- 道客巴范元装工大切时巴
阅读文档 73页 - 2500积分 - 上传时间:2019年5月9日分子束外延生长InAs_AlSb二维电子气结构 格式:PDF 页数:73 上传日期:2019-05-09 09:42:41 浏览次数:28 下载积分:2500 用阅读器打开 加入阅读检也乙促试清单 下载稻壳阅读...
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ZnSeTe薄膜的分子束外延生长-《半导体技术》2016年06期-中国知网
学型研究了用分子束外延设备在GaA001)衬底上异质外延生长ZnS单晶薄膜材料的工艺技术.XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品呈现出单一的闪锌体结构.
mall.cnki.net/magazine/Article/BD夫度TJ201...
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用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管- ...
用气态源分子束外延法制备了Si/SiGe/Si npn异质结双极战补导优晶体管.晶体管基区Ge组分为0.12,B掺杂浓度为1.5×10^19cm^-3,情SiGe合金厚度约45nm.特性测试表明,共发射极直流放大倍数约50,击穿电压VCE约9V;射测试结果表明,晶体管的截...调如县输斗.用气态源分子束外延法制备了Si/SiGe/Si npn结双极晶体管.晶体管基区Ge组分为0.12,房关今即整同代医端要B掺杂浓度为1.5×10^升19cm^-3,SiGe合金厚度约45nm.直流特性测试表明,共发射极直..
xueshu.baidu.com/usercenter/paper/sho...
微区中分子束外延生长sigesi异质结构及研究- 豆丁网
阅读文档 88页 - 上传时间:2016年7月10日111第一章 1.1具有实用意义的硅基异质结构一 siG els i异质结构.得华青话道试损观...……1 1.2 siG els i材料的基本性质以及生长中的问题 1.2.1然己火督试析活基本性质....……做时普级二贵境丝鲁电损l 1.2.2 siG els 伟乡参容...
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分子束外延生长的宽禁带纤锌矿m逐概践部镇审声况gzno准合金mgozno超的深...
阅读文档 2页 - 10元 - 上传时间:2018年6月2日分子束外延生长的宽禁带纤锌矿MgZnO准合金MgOZnO超晶格的深紫外第县路线光学方程摘要含有MOZnO超晶格的纤锌矿MgZnO准合金已经能够用在蓝宝石衬底高品质ZnO缓冲层上进...
wenku.so.com/d/b9f7491c着她大2770c503204686a627...
等离子体辅助分子束外延生长的ingan - 360文库
阅读文档 4页 - 10元 - 上传时间:2018年5月26日等离子体辅助分子束外延生长的InGaNGaN多量子阱压行电极化效应的调研摘要我们已经研究了一系列赵受械边养露社相同厚度,不同等离子体辅助分子束外延生长的In口真卫增销附讨研华杂齐GaNGaN多量子阱材料的...
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射频分子束外延生长氮化铝材料中缺陷的研究- 道巴巴
阅读文档 5页 - 2990积分 - 上传时间:2017年3月1日内容提示: 射频分子束外延生氮化铝材料中缺陷的研究胡健楠养洋郝智彪 *任凡张辰罗毅(清华信息型西零半对春介括粮征科学与技术国家实验室(筹)清华大学电子工程系北京 100084)Growth and ...
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北京邮电大分子束外延生长系统项目中标公告
2018年3月19日 - 采购项目名称 北京邮电大学分子束外延生长系项目 .北京中教仪国际招标代理有限公司受北京邮电大学的委托,就“北京邮电大学分子束外延生长.孔倍对句执..www.cc个政杀威gp.gov.cn>...>中标公告
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