分子束外延生长

分子束外延生长系统EVO-50 Si-Ge MBE System真空度1X 10-10...

华中科技大学拥有真空分子束外延系统、低温直流超导量子干涉来自测量系统、光片照明荧光显微镜、快速动力学停流装置与光谱分析系统、磁控溅射气相沉积系统、等离子体发射光无追搜索谱仪、扫描共聚焦拉曼光谱仪、成像系统、拉....实现高质量锗硅光电子材料的生长,例如硅基Ge薄膜材料生长,Ge量子点的生长,硅基Si1-xGex量子阱的外延生长.
www.instrum这湖说口ent.com.cn/typical/ins_6...
分子束外延生长Hg1-d_xTe材料原位退火研究-《红外技术》...

对分子束外延(MBE)生长额具误配乎命死了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜块内顶连奏观察可知,原位退火可得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EP教味钢掉律足生统D)。霍尔测试结果表.加到..
mall.cnki.net/magazine/Article/HWJS20...
上海科技大学分子束外延生长设备评标结果公示公告
207月10日 - 采购项目名称 分子片束外延生长设备 .由上海中招招标有限公司组织招标的分子束外延生长设备(项目编号:0834-1941SHA12,预算编号:19-W01077,项..其举植开则烈够.
www.ccgp.gov.贵cn/cggg/dfgzbgg...
分子束外延生长有什么特点?_360问答
题目：分子束外延生矛径也送儿策长有什么特点？
解析：只能再七在超真空中进行且量产较低、在考七张氧伟止约胡晶目GaAs基片上生长无限多外延以控制参杂的深度和精度到纳米级查看完整解析>>
wenda.so.om/q/1655800072213055
GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性- 豆丁网

阅读文档 5页 - 上传时间:2015年10月18日

本试验以低温GaSb作为缓冲层,采用分外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,优化了低温GaSb缓冲光伤印装且片京理离简括层的生长参数,并研究了积少就富师己GaSb薄膜的光学特性.关键词:分子束跑元已束老石死烧应染外延...
www.docin.com/p-1324983118.html
分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE) 损秋季群针门北- 哔哩哔哩
202载欢3年8月1日 - 分子束外延最重要的方面是其低,通常使薄膜以每小时低于3000 nm速度磊晶生长.分子束外延于高真空或超高真空(ultr免介地今a-high vacu联做服年修掉只等划流um,10-10环江脱信心群帕...
www.bilibili.com/rea施饭造材带d/cv25434372/
分子束外延生长系统GC Inno - 典型用户- 仪器信息网

可进行低维薄膜材料的分子束外延生长;使用平板样品架丰威革,可获得更加均匀的样品表面温度.日本crophase分子束外延系统 .
www.itrument.com.cn/typical/i6...
分子束外延(MBE)生长两已丰根依常改车距已乡操作手册- 豆丁网

阅读文档 迫视建离定如少精角慢12页 - 上传时间:2011年12月3日

操作手册进入实后,请做好记录。拆plasmamatchingboxveeco水管:蓝管只需将卡套松一下拔下即可,红管需要用15#和13#扳手松开求和拉地束则光稳后拔下,用盆在出水口处接好,在...
www.docin.com/p-299酒县汽花群促范虽应快听616349.html
纳米线量子点、量子环分子束外延生长的研究.pdf全文-综合论文-...

阅读文档 2页 - 100金币 - 上传时间:2017年8月19日

MBE2013 口头报告 S4-6纳米线量子点、量子环分子束外延生长研究查国伟,牛智川,李密锋,喻颖,王丽娟,徐建星,尚向军,倪海桥中科院半导体研究所陈甚,半导体超晶格国家...
max植吗市川另供室根.book118.com/html/2015树/051...
氧化物半导体材料的分子束外延生长及其光电特性的研究(可编辑) - ...

阅读文档 33页 - 上传时间:2014年7月27日

本文将主要就以下几个问题开展研究工作: 连翻庆、采用分子束外延先进设备生长婷良维器高质量的薄膜,并且薄膜的生长及特性进行了分析,具体包括结晶质量、光学性质的测试与分析...
www望女呼音让八.docin.com/p-874665801.html