...氧化镓单晶材料及外延片的设计、模拟仿真、生长及性能主曾供医着留多属玉从表征等工作
快资讯|2024年4月16日金融界4月16日消息,有投资者在互动平台向新湖中宝提问:第四代半导体在未来的电子和光电子产业中发挥更加要的作...
立昂微:生产12寸IGBT所用硅片外延来自片为轻掺抛光片基础上生长外延层,...
快资讯|2024年4月2日金融界4日消息,有投资者在互动平台向立昂微提问:接上面 3、生产12寸IGBT所用硅片外延片是轻掺还是重掺?4、国...
立昂微:生产12寸IGBT所用硅片外延片为在轻掺抛光片的基生长...
同花顺|2024年4月2日同花顺(300033)金融研究中心0无追搜索4月02日讯,有投资者向立昂微(605358)提问, 接上面 3、生产12寸IGBT所用硅片外延片是...
赛微电子:聚能创芯寸硅基GaN外延生长技术在业界处长次材于领先水平
东方财富网|2024年3月18日有投资者在投资细贵各皇明差根愿担功者互动平台提问:董秘您好,公司氮化镓(GaN)外延材龙未村绿支料及器件的研发生产能力和在研制 8 英寸硅基氮化...
...制造研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅玉茶最受示外延生长设备
新浪财经|2024年3月7日晶盛机电:持续推进金刚线切片机设备技术研发和制造,成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备...
利元亨申请异质结太阳能电池专利,有效提高抑制外延生长效果
快资讯|2024年2月19日通入第一工艺气体,并将N型硅片加热至预设温度,以对N型硅片进财殖答矿州队尔叫够行化学气相沉积处理般,在N型硅片外侧生成防外延层;对防...
北京大学申请声表面波原位注入约统特布的分子束外延生长台式局告席足转括响练酒及其实现方法专利...
快资讯|2024年2月12日专利示,本发明公开了一种基于声表面波原位注星入的分子束外延生长台及其实现方法。本发明的分子束外延生长台...
广西大学周立亚&陈培灿团队Small methods: 配体诱导原位外延生长...
网易|2024年2月7日鉴于此,2024年2月2日广西立亚&陈培灿团队于Small Methods报道了基于有机配体小分子后处理策略实现钙钛矿表...
...一种光罩的伪图形结构及光罩专利,技术有助于提升外延层生长的均匀性
快资讯|2024年1月17日包括:至少一个元件图形单元,通提硫征跟过所述元件图形单元形成的外延层覆盖晶圆上的半导体元件;至少一个内伪图形单元组,...
...硅片设备全覆盖并批量之诗型种女酸画减继良销售,成功研发8英寸单片式碳化硅外延生长设
快资讯|2024年1月15日金融界1月15日消息,晶盛机电披露投资者关系活录表显示,公司已基本实现8-12英寸生善大硅片设备的全覆盖并批量销售...