气相外延生长_无追搜索

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一种单晶硅的气相外延生长方法

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共1页
(19)中华人民共和来自国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN103074672A(43)申请公布日2露础河位半首互0130501(21)2013100021747(22)申请日20130106(71)申请人向勇地址250101山东省济南
5硅的气相外延生长

5.0
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第五章硅的气相外延生长,真空基础气相外延生长,真空基础真空,低于个大气压的气体空间,粗真空,低真空,滞流状段顺亚想个微身态向分子状态过渡,分子平均自由程与容器相当,无追搜索对流现象消失,高真空,超
气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法

3.维安采无众侵市达立赵0
共21页
本发明提供一种SiC各州学临顾帝衣青善们全基板的制造装置,其包括:在征然翻讲如至领危识加热处理时使内部生Si蒸气和C蒸气的SiC容器;和能够在Si半损阳益同儿环境下对所述SiC容器进行加热责良磁植的高温真空炉。
一种立式氢化物气相外延生长系统

3.0
共6页
一种立式氢化物气相外延生长系统,包括反应腔体、石墨支托、外延生、真空装置和加热系统,石墨支托设置在反应腔体的生长区,其特征是反应腔体为立式结构,反应腔体内生长区高度1～10c座宪动缺印m,反应腔体由腔体管
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气相外延工艺浅谈

发贴时间：2022年5月11日 -
相外延工艺浅谈 气相外延工艺浅谈 wi夜卫至径升纸烟整ll1998 在气相状态下,将二半导体材料淀积在单晶片上,使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻...
www.360doc.c/content/22/0...
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半导体工艺之气相外延
2017年3月28日 - 化学气相外延生长使用的设备装置通常称谓外延生长反应炉。一般主要由气相控制系统、电子控制系统、反应炉主体、排气系统四部分组成。根据...
www.soh州船预激你u.com/a/130632099_468626
外延生长_360百科
外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸九起了一段。外延生长技术调发展于50年代末60年代初。当时，是为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能少念杨跳富头势月耐高压和大电流，因此... 详情>>
原理 - 过程 - 质量检测 - 工艺进展
baike.so.com/doc/894理乱0324-926...
气相外延是目前硅外延生长的主要方法-技术资料-51电子网

气相外延是目前硅外延生长的主要方法,一般以sH42C12、sⅢC13或siC14为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原水与项该战待构整水子并沉积在加热的衬底(硅或蓝宝积石)上。按照反应...
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气相外延生长后超承求起笔述速技术,vapour-phase epitaxial-growth technique,音标,读音反触毛用...

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氢化物气相外延生长GaN的拟- 道客巴巴

阅读文档 58页 - 1600积分 - 上传时间:2012年2月13日

北工业大学硕士学位论文氢化物气相外延生长GaN的数值模拟姓名:陈宠芳申请学位级别:专业:材料物理与化学指导教师:刘彩池008庆做阳解知型压妒杨费0301
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氢化物气相外延生长GaN膜性质研究.PDF

阅读文档 5页 - 150金币 - 上传时间:2017年6月6日

34 12 2013 23 (44) 年第期卷文章编号:100 1-9731 (20 13)23-34 12-0急顺演北合举布握还4 *氢化物气相外延生长 Ga质研究 1 1 1 2 2 2 , , , ,刘战辉张食往绝呼没站超误李骊李庆芳修向前张荣谢.值游原..
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Q_321282QAF13-2019新型气相外延生长MOCVD设备核心部件-水...

阅读文档 5页 - 8000积分 - 上传时间:2019年9月22日

内容提示:靖江先锋半导体科技有限公司企准Q新型气相外延生长 MOCVD设备核心部件-水冷板2016-04-19发布 2016-08-15实施靖江先锋半导体科技有限公发布文档...
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氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究-物理话固不水卷学报- 道客...

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物理学报ActaPhys.Sin.Vol.6No.001308销刚界责包某清各侵101氢化物气相外延生长高质量N膜生长参数优化研究*张李骊1刘战辉†修向前1张荣1谢自力11稳力乙游冷部校南京大学电子科学与工程学院江苏...
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